Instituto de pesquisa da empresa desenvolveu uma nova estrutura para transistores com o grafeno, elemento que possui 200 vezes mais mobilidade de elétrons do que o silício.
O Advanced Institute of Technology (SAIT), centro de pesquisa e desenvolvimento da Samsung, desenvolveu uma nova estrutura para transistores utilizando o grafeno. A novidade deve melhorar o desempenho dos componentes semicondutores e, consequentemente, dos eletrônicos que utilizamos.
Conforme publicação do site SammyHub, o grafeno possui 200 vezes mais mobilidade de elétrons do que o silício usado nos componentes atuais. Tal performance, na teoria, seria capaz de produzir, por exemplo, processadores com até 300 GHz de frequência – isso já considerando que a tecnologia só atinja metade do potencial de mobilidade dos elétrons, segundo o site Softpedia.
Contudo, esse material é difícil de ser trabalhado, pois ele é um semimetal e não possui a capacidade de alternação de corrente existente no silício, assim o fluxo de elétrons que circula por sua estrutura não pode ser interrompido facilmente.
Para solucionar esse problema, os cientistas estudam um meio de integrar os dois elementos, formando uma barreira Schottky de grafeno-silício que, controlando a altura do seu barramento, seria capaz de manipular o fluxo de elétrons do transistor.
O instituto de pesquisa da Samsung já adquiriu nove patentes importantes para o desenvolvimento da tecnologia. Mais detalhes sobre a tecnologia podem ser adquiridas no documento publicado na American Association for the Advancement of Science (AAAS).
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